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2020-05-31
根據(jù)摩爾( Moore)定律，半導體芯片中可容納的晶體管數(shù)目，大約每隔18個月便翻一番，性能也將提升一倍。芯片內(nèi)晶體管的特征尺寸每年都在減小，這也導致晶體管的密度不斷增大，這樣一來，芯片內(nèi)部模塊集成度越來越高，測試的復雜度也逐漸升級。在半導體器件生產(chǎn)中，測試成為貫穿于集成電路設計、制造、保證芯片質(zhì)量的重要環(huán)節(jié)，而漏電流是半導體測試極其重要的一項參數(shù)。
半導體器件在生產(chǎn)過程中，需要加入雜質(zhì)離子，這樣一來就難免會產(chǎn)生漏電流。漏電流過大，導致器件測試過程中功耗增加，溫度升高，溫度一升高又加劇內(nèi)部漏電流增大，從而形成惡性循環(huán)，不但增加了電源系統(tǒng)的功耗，產(chǎn)生過多的噪聲干擾，也在一定程度上縮短了半導體器件的使用壽命。
日本進口MOS FET光耦繼電器模塊G3VM-21MT，采用了T型電路結(jié)構，當主電路斷開，子電路閉合時，漏電流可以低至1pA以下，特別適合應用于半導體測試設備中。
產(chǎn)品特性
采用超小型SMD封裝，外形緊湊，節(jié)省了PCB布局空間。
通過T型電路設計，漏電流1pA以下，極大地減少了接入被測器件的漏電流。
由三個MOS FET繼電器組成1組常開觸點(SPST-NO) + T開關功能。
優(yōu)秀的高頻特性，1.5GHz時絕緣值高達20dB以上。
可靠性高，壽命長。
電氣參數(shù)：
主要應用：
半導體測試設備
數(shù)據(jù)記錄儀
信號發(fā)生器
廣州鼎悅電子科技有限公司， 提供(OMRON)多達200多種以上規(guī)格的MOS FET系列光耦繼電器，產(chǎn)品豐富，配合超低漏電流型G3VM-21MT以及新推出的電壓驅(qū)動型G3VM-31QV和G3VM-61QV，給您的產(chǎn)品設計選型提供了更多選擇。
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